آ
-
آهنگ انباشت
تاثیر آهنگ انباشت بر مشخصات اپتیکی و ریزساختاری لایه های نانوساختار ZnSe تهیه شده با روش تبخیر حرارتی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 347-356]
-
آهنگ بازترکیب
تأثیر فشار هیدرواستاتیک بر میزان بازترکیبی تابشی سلولهای خورشیدی InGaN/GaN باچاه کوانتومی چند گانه [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 311-322]
ا
-
اشعه پراش ایکس
لایه نشانی تیتانیوم کروم نیترید روی زیر لایه سیلیکون به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 357-364]
-
اکسیتون
اثر برهمکنش اسپین مدار دمای محدود در سیستم های مقید با بعد کم [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 339-346]
-
اکسید روی
تاثیر پارامترهای لیزر (فرکانس و شاریدگی) بر مشخصه های نوری و ساختاری لایه های اکسید روی رسوب داده شده به روش رسوب لیزر پالسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 331-338]
-
الگوی شبکه
اثر عیوب تهی جائی بر جریان جوزفسونی در نانوریبون زیگزاگی [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 393-403]
ب
-
برهمکنش ژیالوشینسکی – موریا
دینامیک درهم تنیدگی در یک سیستم دو اسپینی با برهمکنش بلند برد [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 323-329]
-
برهمکنش ژیالوشینسکی- موریا
درهم تنیدگی گرمایی در زنجیره اسپینی با برهمکنش هایزنبرگ XX و XY و XZ [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 379-384]
-
برهم کنشهای اسپینی
اثر برهمکنش اسپین مدار دمای محدود در سیستم های مقید با بعد کم [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 339-346]
-
برهمکنش هایزنبرگ
درهم تنیدگی گرمایی در زنجیره اسپینی با برهمکنش هایزنبرگ XX و XY و XZ [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 379-384]
-
بلندبرد
دینامیک درهم تنیدگی در یک سیستم دو اسپینی با برهمکنش بلند برد [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 323-329]
پ
-
پتانسیل های کاتوره ای
بهینه سازی پراکندگی الکترون از سدهای پتانسیل کاتوره ای روی سطح عایق های توپولوژیک [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 405-413]
ت
-
تکنیک تبخیر حرارتی
تاثیر آهنگ انباشت بر مشخصات اپتیکی و ریزساختاری لایه های نانوساختار ZnSe تهیه شده با روش تبخیر حرارتی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 347-356]
-
تیتانیوم کروم نیتراید
لایه نشانی تیتانیوم کروم نیترید روی زیر لایه سیلیکون به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 357-364]
ج
-
جذب نوری
تأثیر فشار هیدرواستاتیک بر میزان بازترکیبی تابشی سلولهای خورشیدی InGaN/GaN باچاه کوانتومی چند گانه [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 311-322]
-
جرم نسبیتی
اثر برهمکنش اسپین مدار دمای محدود در سیستم های مقید با بعد کم [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 339-346]
-
جریان جوزفسون
اثر عیوب تهی جائی بر جریان جوزفسونی در نانوریبون زیگزاگی [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 393-403]
چ
-
چاه کوانتومی چند گانه
تأثیر فشار هیدرواستاتیک بر میزان بازترکیبی تابشی سلولهای خورشیدی InGaN/GaN باچاه کوانتومی چند گانه [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 311-322]
خ
-
خواص اپتیکی
تاثیر آهنگ انباشت بر مشخصات اپتیکی و ریزساختاری لایه های نانوساختار ZnSe تهیه شده با روش تبخیر حرارتی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 347-356]
-
خواص الکتریکی
خواص الکتریکی اتصالات تونل زنی مغناطیسی متاثر از دو نوع فصل مشترک ناهموار [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 415-420]
-
خواص ریزساختاری
تاثیر آهنگ انباشت بر مشخصات اپتیکی و ریزساختاری لایه های نانوساختار ZnSe تهیه شده با روش تبخیر حرارتی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 347-356]
د
-
درهمتنیدگی کوانتومی
درهم تنیدگی گرمایی در زنجیره اسپینی با برهمکنش هایزنبرگ XX و XY و XZ [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 379-384]
-
دینامیک درهمتنیدگی
دینامیک درهم تنیدگی در یک سیستم دو اسپینی با برهمکنش بلند برد [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 323-329]
ر
-
رسانش
بهینه سازی پراکندگی الکترون از سدهای پتانسیل کاتوره ای روی سطح عایق های توپولوژیک [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 405-413]
ز
-
زنجیره اسپینی
درهم تنیدگی گرمایی در زنجیره اسپینی با برهمکنش هایزنبرگ XX و XY و XZ [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 379-384]
س
-
ساختار مقید
اثر برهمکنش اسپین مدار دمای محدود در سیستم های مقید با بعد کم [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 339-346]
-
ساختار مورفولوژی
تاثیر پارامترهای لیزر (فرکانس و شاریدگی) بر مشخصه های نوری و ساختاری لایه های اکسید روی رسوب داده شده به روش رسوب لیزر پالسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 331-338]
-
سدهای پتانسیل
بهینه سازی پراکندگی الکترون از سدهای پتانسیل کاتوره ای روی سطح عایق های توپولوژیک [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 405-413]
-
سلول خورشیدی
تأثیر فشار هیدرواستاتیک بر میزان بازترکیبی تابشی سلولهای خورشیدی InGaN/GaN باچاه کوانتومی چند گانه [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 311-322]
ش
-
شاریدگی لیزر
تاثیر پارامترهای لیزر (فرکانس و شاریدگی) بر مشخصه های نوری و ساختاری لایه های اکسید روی رسوب داده شده به روش رسوب لیزر پالسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 331-338]
-
شکاف باند کانال
مطالعه DFT اثرات سیلیکون قرار گرفته شده بین نانو روبان های گرافنی دسته صندلی با عرض های متفاوت بر روی خواص مکانیکی و الکترونیکی [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 385-392]
ض
-
ضریب عبور
بهینه سازی پراکندگی الکترون از سدهای پتانسیل کاتوره ای روی سطح عایق های توپولوژیک [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 405-413]
ع
-
عایق های توپولوژیک
بهینه سازی پراکندگی الکترون از سدهای پتانسیل کاتوره ای روی سطح عایق های توپولوژیک [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 405-413]
-
عیب تهی جا
اثر عیوب تهی جائی بر جریان جوزفسونی در نانوریبون زیگزاگی [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 393-403]
ف
-
فصل مشترک ناهموار
خواص الکتریکی اتصالات تونل زنی مغناطیسی متاثر از دو نوع فصل مشترک ناهموار [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 415-420]
ق
-
قطبش اسپینی
خواص الکتریکی اتصالات تونل زنی مغناطیسی متاثر از دو نوع فصل مشترک ناهموار [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 415-420]
ک
-
کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی
لایه نشانی تیتانیوم کروم نیترید روی زیر لایه سیلیکون به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 357-364]
ل
-
لایهنشانی لیزر پالسی
تاثیر پارامترهای لیزر (فرکانس و شاریدگی) بر مشخصه های نوری و ساختاری لایه های اکسید روی رسوب داده شده به روش رسوب لیزر پالسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 331-338]
-
لایه های ZnSe نانوساختار
تاثیر آهنگ انباشت بر مشخصات اپتیکی و ریزساختاری لایه های نانوساختار ZnSe تهیه شده با روش تبخیر حرارتی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 347-356]
م
-
مقاومت مغناطیسی تونل زنی
خواص الکتریکی اتصالات تونل زنی مغناطیسی متاثر از دو نوع فصل مشترک ناهموار [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 415-420]
-
منفیشدگی
دینامیک درهم تنیدگی در یک سیستم دو اسپینی با برهمکنش بلند برد [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 323-329]
-
میدان مغناطیسی
دینامیک درهم تنیدگی در یک سیستم دو اسپینی با برهمکنش بلند برد [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 323-329]
-
میدان مغناطیسی خارجی
درهم تنیدگی گرمایی در زنجیره اسپینی با برهمکنش هایزنبرگ XX و XY و XZ [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 379-384]
-
میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان
لایه نشانی تیتانیوم کروم نیترید روی زیر لایه سیلیکون به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 357-364]
ن
-
نانو نوار گرافنی
مطالعه DFT اثرات سیلیکون قرار گرفته شده بین نانو روبان های گرافنی دسته صندلی با عرض های متفاوت بر روی خواص مکانیکی و الکترونیکی [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 385-392]
-
نرخ تکرار پالس
تاثیر پارامترهای لیزر (فرکانس و شاریدگی) بر مشخصه های نوری و ساختاری لایه های اکسید روی رسوب داده شده به روش رسوب لیزر پالسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 331-338]
-
نوار باریک گرافن
اثر عیوب تهی جائی بر جریان جوزفسونی در نانوریبون زیگزاگی [دوره 4، شماره 2، 1399، صفحه 393-403]
و
-
ولتاژ بایاس
لایه نشانی تیتانیوم کروم نیترید روی زیر لایه سیلیکون به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 357-364]
-
ویژگیهای اپتیکی
تاثیر پارامترهای لیزر (فرکانس و شاریدگی) بر مشخصه های نوری و ساختاری لایه های اکسید روی رسوب داده شده به روش رسوب لیزر پالسی [دوره 4، شماره 1، 1399، صفحه 331-338]
عبارت مورد نظر شما با هیچ یک از موارد همخوانی ندارد