نوع مقاله : مقاله پژوهشی
نویسنده
دپارتمان علوم، دانشکده فنی امام محمد باقر(ع)، دانشگاه فنی و حرفه ای مازندران، ایران
چکیده
در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی آلی ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش این ضخامت تا کمتر از 1 نانومتر برای نسل بعدی منجر به افزایش جریان های تونل زنی و همچنین جریان نشتی خواهد شد. نمونه های کانی ترکیبی اکسید نیکل- سیلیسیمی دربسیاری از حوزه ها نظیر بورد های الکترونی، آشکار سازها وحسگرها بدلیل ساختار تخلخلی مورد استفاذه قرار گرفته اند.در این جا تلاش کرده ایم تابیشتر به ویژگی های نانو ساختاری چنین موادی بپردازیم وبرای همین منظور نمونه های مزبور را به روش سل- ژل در ماتریس سیلیکاتی سنتز نموده و به کمک تکنیک های پراش پرتو ایکس و نمونه برنامه X-Powderرا مورد مطالعه قرار دادیم. نتایج بدست آمده نشان می دهند که نمونه ها با80% اکسی نیکل و20% سیلیکا دارای ساختار آمورف در دمای اتاق وساختارمیکرو بلوری در دمای 50 درجه سانتیگراد به بالا می باشد. همچنین تبدیلات فازی به میزان مواد نیکلی وسیلیکاتی در ترکبیات مزبور بستگی مستقیم دارد.
کلیدواژهها
موضوعات